Физики Университета Небраски — Линкольна показали, что оксид гафния обладает собственным антиферроэлектрическим свойством.
Работа опубликована в Science, о ней 25 сентября сообщил университет. Оксид гафния уже применяют в электронике, поэтому его необычное поведение представляет интерес для разработчиков новых компонентов.
В антиферроэлектрическом материале электрические поляризации соседних участков направлены в противоположные стороны. Под действием напряжения их расположение меняется: материал может принимать и отдавать энергию. Ранее ученые спорили, действительно ли такое поведение оксида гафния связано с его строением или возникает из-за дефектов и перераспределения зарядов.
Исследователи вырастили тонкую кристаллическую пленку и изучили ее электрические свойства и атомную структуру. Антиферроэлектрическое состояние сохранялось даже при толщине около 0,6 нанометра.
Авторы считают, что результат может пригодиться при создании памяти, конденсаторов и систем охлаждения. Речь пока идет об исследовании материала, а не о готовом устройстве.
Комментарии 0